Российский научный фонд проводит конкурсы по направлению «Микроэлектроника»

Управление науки и инноваций

Российский научный фонд (РНФ) проводит следующие конкурсы:

I. Открытый публичный конкурс по отбору технологических предложений с целью формирования технологической повестки РНФ по направлению «Микроэлектроника» по приоритетному направлению деятельности РНФ «Поддержка проектов по развитию перспективных и приоритетных наукоемких технологий в целях решения задач, связанных с большими вызовами для общества, государства и науки».

Цель проведения конкурсного отбора – определение технологических предложений, представленных заинтересованным квалифицированным заказчиком, который подтверждает наличие спроса и готовность к применению научно-технического результата в области создания материа-лов (конструкционных и расходных) для производства ЭКБ по темам, указанным в приложении №1 к конкурсной документации (прикрепленный файл).
Финансовая поддержка технологических предложений не осуществляется.
Результатом отбора является перечень технологических предложений, включающий конкретные научно-технические проекты, по которым в дальнейшем Фондом будут проведены открытые публичные конкурсы на получение грантов Фонда.

Заявка должна содержать информацию о планируемых научно-технических проектах и технические требования к ним с учетом следующих обязательных условий:
- планируемый срок реализации Проектов до 3-х лет;
- объем финансирования каждого Проекта до 100 млн рублей в год;
- софинансирование каждого Проекта - не менее 5 процентов от суммы гранта Фонда;
- уровень готовности технологии по результатам выполнения проекта от 4 до 7.

Заявку на конкурс необходимо представить не позднее 17 часов 00 минут 27 ноября 2026 г. по адресу.

II. Открытый публичный конкурс на получение грантов РНФ по выполнению прикладных научных исследований по приоритетным направлениям научно-технологического развития Рос-сийской Федерации по направлению «Микроэлектроника».

Гранты выделяются на проведение прикладных научных исследований (Проект).

Объем финансового обеспечения гранта составляет до 30 млн. рублей в год. Срок реализации Проектов до 3 лет.

Конкурс проводится по 16 лотам:
1) Лот № 1 «Разработка комплекса газоочистки агрессивных примесей в выхлопных газах процесса газофазной эпитаксии (CVD)».
2) Лот № 2 «Разработка технологии оптимизации CVD эпитаксии низкодефектных слоёв 4H SiC для карбид кремниевой силовой электроники на основе адаптивных алгоритмов и моделей машинного обучения».
3) Лот № 3 «Разработка технологии повышения точности и робастности интегрально-оптического датчика напряжения на основе ниобата лития».
4) Лот № 4 «Разработка теплового узла, методики выращивания монокристаллов карбида кремния из раствора в расплаве, включая адаптивную систему автоматизации технологического процесса».
5) Лот № 5 «Исследование конструктивно-технологических решений и разработка технологии изготовления миниатюрных ВЧ и СВЧ интегральных LTCC-модулей с пьезоэлектрическими фильтрами и малошумящим усилителем».
6) Лот № 6 «Исследование и разработка технологических решений двукратной литографии для повышения плотности компоновки топологии при формировании линий затвора СБИС на базе технологии 90 нм».
7) Лот № 7 «Кремниевая технология сверхширокополосных шумовых источников до 50 ГГц для отечественных СВЧ-измерительных систем и метрологии».
8) Лот № 8 «Разработка цифровой архитектуры интеллектуальных СВЧ генераторов шума».
9) Лот № 9 «Разработка библиотеки стандартных элементов и комплексного инструмента проектирования СВЧ МИС на основе InGaP/GaAs гетеробиполярных транзисторов».
10) Лот № 10 «Проведение исследований процессов каталитическисорбционной очистки и разработка регенерируемых финишных очистителей и установок очистки азота, аргона и сжатого воздуха от примесей O2, H2O, CO, CO2, CxHy до уровня их содержания не более 1 ppb и методов контроля качества».
11) Лот № 11 «Разработка и аттестация методик аналитического контроля качества деионизованной воды для микроэлектронного производства с проектными нормами 28 нм».
12) Лот № 12 «Проведение исследований и разработка научно-методических основ и экспериментального комплекса динамической генерации примесей O2, H2O, CO, CO2, CxHy в чистом N2, Ar, XCDA на уровне 1 ppb для калибровки газоаналитического оборудования».
13) Лот № 13 «Разработка и внедрение технологии идентификации и контроля загрязнений при синтезе полимерной основы литографических материалов для технологий 180/90 нм».
14) Лот № 14 «Разработка конструкции и технологии эпитаксиального роста полупроводниковых гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaP, обеспечивающих возможность монолитной интеграции в одном кристалле гетеробиполярного транзистора и варикапа в целях организации серийного производства широкополосных GaAs СВЧ-генераторов, управляемых напряжением».
15) Лот № 15 «Разработка технологического блока формирования третьего уровня металлизации и топологий многоуровневых библиотечных элементов с целью модернизации стандартной технологии проектирования и производства СВЧ МИС на основе GaAs нормально открытых pHEMT с проектной нормой 0,5 мкм».
16) Лот № 16 «Исследование физико-технологических основ и отработка технологии лазерного микробампирования со струйной подачей припоя».

Результатом предоставления гранта является разработанная в рамках реализации проекта технология, подтвержденная изготовленным по ней прототипом изделия.

Заявка на конкурс представляется по формам в соответствии с приложением № 2 к конкурсной документации, не позднее 17 часов 00 минут (по московскому времени) 5 ноября 2026 года по адресу.

С подробной информацией о конкурсах можно ознакомиться на сайте РНФ.