Дайджест специального международного проекта Центров поддержки и инноваций Российской Федерации «ИС и молодёжь: инновации во имя будущего»

19 декабря 2022 Поделиться  
Официальные новости ЦПТИ
Самофалова Алевтина Сергеевна
Руководитель ЦПТИ ФГБОУ ВО  «Воронежский государственный технический университет», аспирант ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет имени  Г.Ф. Морозова».

Тема работы: Выращивание нитевидных нанокристаллов.

Область научной активности: 
наноматериалы.

2 681 037Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния


Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Cпособ выращивания нитевидных нанокристаллов (ННК) SiO2 включает подготовку монокристаллической кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных частиц металла-катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кремния из газовой фазы, содержащей SiCl4, Н2 и O2, по схеме пар→жидкая капля→кристалл с одновременным его окислением, при этом катализатор выбирают из ряда металлов, имеющих количественные значения логарифма упругости диссоциации   для реакции образования оксида  , где Me - металл, О - кислород, n и m - индексы, при 1000 K, более -36,1, причем частицы металла-катализатора выбирают с диаметрами менее 100 нм, а температуру процесса выращивания устанавливают в интервале 1000-1300 K. 

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и предназначено для выращивания на кремниевых подложках по схеме пар→жидкая капля→кристалл (ПЖК) нитевидных нанокристаллов (ННК) диоксида кремния (SiO2).

2 653 026Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния


Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей. Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность пленки катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → жидкая капля → кристалл, при этом катализатор выбирают из металлов, образующих с кремнием фазовую диаграмму с вырожденной эвтектикой, причем молярное отношение компонентов газовой фазы   поддерживают в интервале 0,01≤n≤0,025. Далее на подложку наносят пленку катализатора не более 2 мкм, а осаждение кристаллизуемого вещества ведут до полного израсходования катализатора. Изобретение позволяет получать острийные нанокристаллы кремния с ультратонкой вершиной (с радиусом кривизны поверхности вблизи вершины менее 50 нм), что обеспечивает их высокую функциональную способность, а относительно толстое основание – хорошую механическую прочность при больших циклических нагрузках и вибрации.

2 684 268 Ударное ядро с зажигательным эффектом

Изобретение относится к боеприпасам для борьбы с бронетехникой, включая роботизированную бронетехнику. Ударное ядро состоит из взрывного бризантного вещества со сферической выемкой, расположенной на переднем торце заряда и обложенной листовым металлом, взрывателя и устройства дистанционного подрыва заряда, расположенных на противоположном втором торце заряда, наружного корпуса, головного обтекателя и головного датчика преобразователя импульса удара в электрический импульс для самоподрыва боеприпаса, связанного с взрывателем при помощи электрического проводника. Облагающий сферическую выемку металл выполнен из сплава боргидрид никеля Ni(BH4)2. Изобретение позволяет пробивать броню и создавать внутри броневого пространства высокое давление поражающих элементов и высокую температуру горения.



Основным направлением научной деятельности Самофаловой А.С. является методика выращивания нитевидных нанокристаллов SixGe1-x.

В 2019 году разработка «Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния» СЕРЕБРЯНОЙ  МЕДАЛЬЮ XXII Московского международного Салона изобретений и инновационных технологий «Архимед-2019».

В 2019 году прошла повышение квалификации ФИПС по программе «Оформление и экспертиза заявки на объекты интеллектуальной собственности (изобретения, полезные модели, промышленные образцы, товарные знаки) по отраслевым направлениям».

В 2020 году прошла повышение квалификации ФИПС по программе «Интеллектуальная собственность в цифровой экономике: от заявки до внедрения».

В 2021 году прошла повышение квалификации ФИПС по программе «Патентное право» и «Патентный поиск».

Награждена в номинации «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года за разработку «Способ выращивания нитевидных нанокристаллов кремния» № 2681037.

 В 2022 году награждена Ассоциацией Центров поддержки технологий и инноваций Дипломом II степени в номинации «Молодость, создающая будущее».

Самофалова А.С. активно занимается научно-исследовательскими разработками, направленными на получение упорядоченных систем нитевидных нанокристаллов твердого раствора SixGe1-x.


За время учебы и работы Самофалова А.С. опубликовала 16 научных статей в журналах, входящих в WebofScience, Scopus, ВАК, 3 патента, 3 программы для ЭВМ.